首页 | 期刊简介 | 编辑部 | 广告部 | 发行部 | 在线投稿 | 联系我们 | 产品信息索取
2024年11月21日星期四
2011年第01期
 
2010年第12期
 
2010年第11期
2010年第11期
 
2010年第10期
2010年第10期
 
2010年第09期
2010年第09期
 
2010年第09期
2010年第08期
 
2010年第07期
2010年第07期
 
2010年第06期
2010年第06期
 
2010年第05期
2010年第05期
 
2010年第04期
2010年第04期
 
2010年第03期
2010年第03期
 
2010年第02期
2010年第02期
 
2010年第01期
2010年第01期
 
2009年第12期
2009年第12期
 
2009年第11期
2009年第11期
 
2009年第10期
2009年第10期
 
2009年第9期
2009年第9期
 
2009年第8期
2009年第8期
 
2009年第7期
2009年第7期
 
2009年第6期
2009年第6期
 
2009年第5期
2009年第5期
 
2009年第4期
2009年第4期
 
2009年第3期
2009年第3期
 
2009年第2期
2009年第2期
 
2009年第1期
2009年第1期
 
2008年第12期
2008年第12期
 
2008年第11期
2008年第11期
 
2008年第10期
2008年第10期
 
2008年第9期
2008年第9期
 
2008年第8期
2008年第8期
 
2008年第7期
2008年第7期
 
2008年第6期
2008年第6期
 
2008年第5期
2008年第5期
 
2008年第4期
2008年第4期
 
2008年第3期
2008年第3期
 
2008年第2期
2008年第2期
 
2008年第1期
2008年第1期
ispLeverCORE:DDR SDRAM控制器IP核



莱迪斯半导体公司推出用于Lattice ECP和LatticeEC FPGA系列的DDR SDRAM控制器ispLeverCORE IP核,在系统中的速度可达到200MHz /400DDR。

DDR SDRAM控制器是和工业标准DDR SDRAM接口的通用存储器控制器。控制DDR存储器的时序参数能由用户通过输入到IP模块的信号来调整。此外,该核可以通过设置用在LatticeECP/EC器件所包含的硬件中,便于实现高速DDR存储器接口。

LatticeECP和LatticeEC FPGA系列的DDR SDRAM控制器的主要特性:和工业标准DDR SDRAM接口;高性能DDR 400/333/266/133工作;可编程突发长度2、4或8;可编程CAS等待2或3周期;智能组管理,最小化ACTIVE指令;支持所有标准的DDR指令;用于可靠工作的同步执行;指令流水线,最大化吞吐量;支持多个DIMM;有8个芯片可选择;支持所有共同的存储器配置:SDRAM数据通路宽度8、16、32、64和72位,用于不同存储器的可变寻址宽度,可编程时序参数,通过数据掩饰信号进行字节级写入,芯片选择1、2、4或8位和突发终止。

Lattice Semiconductor www.lattice.com

2005GEC.1

         
版权所有《世界电子元器件》杂志社
地址:北京市海淀区上地东路35号颐泉汇 邮编:100085
电话:010-62985649
E-mail:dongmei@eccn.com