Aviza联手茂硅开发下一代闪存材料

半导体设备供货商Aviza Technology宣布与茂硅电子（Mosel）签订共同开发计划（JDP），双方将共同开发应用在下一代闪存的原子层沉积层（ALD）材料。

根据合作协议的内容，Aviza将会提供开发先进原子层沉积材料必要的硬设备以及创新制程，而茂硅电子将会提供组件设计及制程整合技术，以开发符合茂硅技术和制造需求的原子层沉积层薄膜。双方的合作将使用到Aviza经量产验证的Celsior fxP单晶圆原子层沉积系统以开发这些薄膜。

目前茂硅的闪存技术研发焦点放在生产更高密度、更低成本及更快读写速度的闪存组件，为达到以上目标，在降低组件设计尺寸到58纳米及更小时，早期原子层沉积层薄膜材料的开发对于确保可制造性是非常关键的。正在研发中的先进薄膜将会以其物理特性、电子特性，以及是否能成功整合到先进闪存制程的程度来筛选。

TCL“自然光”突破液晶产业核心技术

TCL日前发布了自主研发、拥有完全自主知识产权的液晶产业核心技术——自然光技术。TCL自然光主要由圆偏振光液晶电视技术和液晶电视动态背光调制两大技术组成。该技术属国际首创，是我国TFT-LCD电视技术自主创新的一大成果。应用了这项技术的液晶电视机在提升画质、视力保护、环保节能三个方面都将有极大改善。

首先，在自然界中，人眼看到的绝大部分是自然光，自然光是让人眼感觉最舒适的光线。而液晶电视主动发出的光线却是线偏振光。圆偏振光液晶电视技术就是突破液晶电视的技术局限，将线偏振光变成更接近于自然光的圆偏振光，让液晶电视实现了类似自然光下的视觉感受。经过实际测试发现，接近于自然光的圆偏振光还能有效地减轻长时间观看液晶电视机而产生的视觉疲劳。据多家权威机构对比试验证明，采用TCL自然光技术的液晶电视机更符合人眼的自然视觉机理。

其次，TCL液晶电视动态背光调制技术能根据图象信息动态地设置电视机的背光亮度，让液晶电视机实现屏幕上的分区域调解，以增加明暗不同区域中的画面层次感，使其静态对比度可达10000：1，动态对比度可达50000：1。

此外，TCL自然光技术能智能科学地分配使用液晶电视背光灯，由此带来的环保节能优势特别明显，降低能耗至少可达54%。

新型纳米内存器件数据可存储10万年

美国宾夕法尼亚大学研究人员已开发出的一种新型纳米器件，能存储10万年的电脑数据，检索数据的速度比现有的像闪存和微型硬盘之类的便携式存储设备快1000倍，而且比目前的内存技术更省电、存储空间更小。

该校材料科学与工程系副教授阿格瓦尔及同事采用自组装工艺，用纳米金属催化剂作为媒介，使化学反应剂在低温下结晶，自发形成了直径为30-50纳米、长度为10微米的纳米线。这种纳米线是一种能在非晶和晶体结构间实现开关功能的相变材料，是对电脑内存进行读写的关键。

研究人员对最后定型的纳米线进行了测量，测量数据包括“写”电流幅值、在非晶和晶相之间开关的速度、长期稳定性以及数据保留的时间。测试结果显示，数据编码的功耗极低，数据写、擦除和检索的时间仅为50纳秒，比普通闪存快1000倍。而且这个器件甚至用上10万年也不会丢失数据，这就为实现万亿位的非易失性内存密度提供了可能。对非易失性内存应用来说，在电流感应相变系统中，原子级的纳米器件也许是最终的尺寸极限。

研究人员称，相变内存技术相较于闪存等其他内存技术具有读写快、稳定性高、构建简单的特点。通过常规光刻技术，在不破坏有效性能的情况下就能降低相变材料的尺寸。这种新型内存对消费者共享信息、传输数据甚至下载娱乐资料的方式将产生革命性的影响，消费者将能获取和存储“海量”的数据。

宁夏有机聚合物钽电容器获国家支持

总投资1.05亿元的星日电子有机聚合物钽电容器高技术产业化项目日前通过国家中资公司评审，年内将列入国家高技术产业发展计划并获得国家资金支持。

有机聚合物钽电容器是一种新型片式钽电容器，是目前片式钽电容器中的高端产品，其广泛应用于防噪声装置的电源电路、汽车电子、笔记本电脑的CPU去耦装置、移动通信设备、便携式AV整机、数字相机等精密的电子产品上。此前，该公司已成功研制15种系列规格产品，开发出有机聚合物钽电容的生产技术并形成了稳定的生产工艺及质量检验方法，建成一条年产5000万只的有机聚合物钽电容器生产线。产品样品通过了国内外公司的上线验证，产品的容量、损耗、漏电流、等效串联电阻等电性能参数满足了国内外用户的需要，达到电子整机行业应用标准。其核心技术申请了国家发明专利2项。

该项目的实施，填补了国内空白，加快了我国从传统的MnO2阴极材料做钽电容器向有机聚合物阴极材料做钽电容器的转化，改变了我国低价出口低级原材料，高价进口高档电子元器件的局面。该项目将把我国钽电容器的开发、生产水平推向一个新的高度，加速产品的升级换代，促进电子、信息等产业的快速发展。

IBM开发新式内存芯片可扩充100倍

为了制造出更小的电子设备，消费电子厂商正在不断提高内存芯片或者硬盘上容纳数据存储的能力。

IBM实验室科学家Stuart S. P. Parkin成功在磁性数据存储光盘上的细微局部实现了磁性状态翻转，从而为微型存储区域的数据存储与检索提供了可能性。利用“巨磁阻”（GMR），数据存储容量可以得到极大的提高，这使得在iPod上存储巨量视频与音频内容，或者实现Google数据中心式的存储成为一种现实。

Parkin使用的新方法叫做“赛道内存”(racetrack memory)，这种内存的速度超过了固态闪存芯片以及计算机硬盘的速度，因此它不 仅可能改变存储行业，而且也可能会改变整个计算机行业。

Parkin的办法是在在每块硅片的边缘布置数十亿根超微的线圈，组成所谓的“赛道”，同时使用电流去推动无穷小的精细磁体沿每根线上下运动，从而实现数据0和1的读写。
Parkin的研究小组已经成功让这些精细磁体以每秒100多米的速度沿锯齿形的纳米线上运动。由于微型磁畴(magnetic domains)只需在分子以下级别的距离进行运动，因此，人们能够用一个“纳秒”(十亿分之一秒)的极化(polarization)速度读写磁性区域，这样的速度远远超过了现有的技术读写速度。

如果Parkin能够成功证明赛道内存可行，并且能够实现商用，那么微电子行业从此可以突破二维的摩尔定律的限制，完全进入三维领域。

科学家们表示，这种内存可能在三到五年的时间内开始取代闪存。它不仅可以让每位用户在便携式设备当中随手携带等同于一座大学图书馆的数据容量，而且可以将内存容量提高十倍或者一百倍，从而大大释放工程师们在娱乐，通讯以及信息产品上面的创造力。

全球首家300毫米NOR闪存工厂量产

富士通与AMD的合资公司Spansion 宣布，它的全球第一个300毫米NOR闪存工厂已经开始批量生产。这个投资12亿美元的工厂位于日本东京以外的Aizuwakamatsu-shi，工厂现阶段的代号称为SP1。

Spansion表示，在300毫米NOR闪存工厂扩展的第一阶段，每月的产量为1.5万至2万个晶圆，工厂最终的生产能力将达到每月3万至4万个晶圆。MirrorBit是Spansion公司闪存技术品牌的名称，与传统的多层单元闪存（MLC）以及单层单元闪存（SLC）浮栅技术相比，它的性能更为先进。MirrorBit能够采用低于25纳米的最先进的制造技术。

市场调研机构Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示，Spansion构建的300毫米闪存工厂在全球NOR闪存市场竞争中居领先地位，包括英特尔和意法半导体最新组建的NOR闪存合资公司。与浮栅技术相比，MirrorBit技术更便宜。Spansion的新工厂能够大幅度降低制造成本。按制造成本计算，300毫米工厂的产品比200毫米工厂的产品更便宜。

S pansion公司 代号为Fab 25的工厂位与美国德州的Austin市，那里有超过12万平方英尺一级水平的绝对无尘室，这个工厂制造基于90纳米的MirrorBit 产品，这个200毫米工厂在今年底将有部分产品采用65纳米制造技术。