非易失性铁电存储器 (FRAM)供应商Ramtron近日发布其亚太区的半导体业务扩展战略，以及持续发展的最新部署。同时，Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM 存储器，成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。

Ramtron 在亚太区的产品销售量由2001至2006年每年增长达 99%，主要动力来自于电力计量、汽车电子及磁碟列阵等控制器应用等。为了推动区域内的业务持续增长，Ramtron最近进行了大量投资，全面扩大其在中国大陆、中国香港、中国台湾及韩国的办事处规模，将销售、战略事务及应用支持的专门人员数目增加了接近一倍，组建了公司最庞大的区域性营销和市场拓展团队。

除了在营销基建方面投资之外，Ramtron还调整了其产品战略，以紧跟亚洲区内出现的各个新兴机会。其中，该公司最近宣布推出了汽车用的独立式FRAM存储器产品，包括符合超高温AEC Q100 Grade 1规范要求的器件。Ramtron还扩大其FRAM-Enhanced处理器配对产品系列，将常用的系统外设与高性能的非易失性FRAM存储器集成在单芯片上。
Ramtron推出的业内首款4Mb非易失性FRAM产品FM22L16，存储量是现有产品的四倍。由于 无需外部电池或电容器来进行数据备份，并采用单片电路形式，因此更为可靠。该产品将德州仪器公司公认的130nm 制造工艺与Ramtron先进的FRAM单元架构相结合，创制出现今最高密度的FRAM器件。为了创建嵌入式 FRAM 模块，德州仪器在其标准的 130nm 铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向 130nm 工艺，两家公司将使用目前最小的商用 FRAM 单元 (仅 0.71um2)，提供 Ramtron 的 4Mb FRAM 存储器，并且获得比SRAM 单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸，该工艺使用了创新的 COP (capacitor-over-plug) 工艺，将非易失性电容直接堆放在W型插入晶体管触点之上。(记者：胥京宇)