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赛普拉斯力推CellularRAM
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随着移动通信系统迅速从2G向2.5G和3G发展，无线网络带宽的增长使移动多媒体应用逐步成为现实。在这一趋势的带动下，新一代无线网络终端对存储器在数量和性能上也提出新的要求。
据预测，2002年占市场82%的低端手机对静态随机存取存储器(SRAM)的需求每部为0-4MB，占市场16%的中端手机每部需求为8-32MB，PDA及智能手机等高端产品每部需求在16MB以上。而到2005年，预计低端手机对SRAM的需求将增长到每部0-8MB，主流手机的需求量将达到16-64MB，高端产品每部需要32-64MB高性能SRAM。全球手机市场将在2006年接近6.5亿部，PDA市场也将迅速增长，因而移动通信存储器市场极为广阔，市场竞争也日趋激烈。
赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）在不久前宣布，与Infineon和Micron公司签订联合开发协议，合作开发CellularRAM存储器规范。CellularRAM是一种新型多代低功耗伪静态随机存取存储器（PSRAM），用于手机。来京参加JEDEX研讨会的赛普拉斯半导体中国区经理关锦明先生谈到此次合作时表示，赛普拉斯非常看好移动通信存储器市场，赛普拉斯一直是居于排在世界前两位的SRAM供应商，这次参与CellularRAM的开发必将进一步巩固其在新一代无线存储技术领域的领先优势。
赛普拉斯认为，新一代无线存储技术的主要发展方向是要具备更低功耗、更高密度、更宽I/O、高性能和后向兼容等特性。CellularRAM存储器的目标就是满足将来2.5G和3G手机不断增长的存储量和带宽需求。除了比现有解决方案更低的成本外，这种新型的PSRAM还具有与SRAM管脚兼容、无需外部更新操作和低功耗等特点，可取代目前蜂窝电话中使用的异步低功耗SRAM。
CellularRAM存储器以单个晶体管DRAM单元为基础，与传统SRAM和6晶体管（6T）的SRAM单元相比具有显著优势，它采用了DRAM技术但大大缩小了DRAM单元的尺寸。这些产品钟频高达108MHz，内部延时60ns，峰值带宽高达216MB/s（1.6Gb/s）。CellularRAM还具有突发读写模式，这种模式仿效英特尔W18和Micron
Flash Burst兼容协议。
CellularRAM存储器为无线手机设计者提供了DRAM所具有的优势，如更高的成本效益、更高的密度和更低的功耗，而配备的还是标准的SRAM接口。这一新型存储器可以延长通信终端的电池使用寿命，满足高性能需求，并可以简化SRAM/Flash接口，减少PCB占用空间。
据介绍，这次三家公司合作的目的是基于联合开发的CellularRAM存储器规范，在业内进行推广，使之成为行业标准。并可以使客户从多个供应商处获得管脚和功能都兼容的产品。但三家公司都将采用自己的设计方法和工艺技术来设计和制造产品，各自进行销售。
Infineon和Micron计划在未来12个月内制作出几个CellularRAM样品器件。第一个器件为32Mb，结构为2M X16，定于2002年年末提供。16Mb和64Mb器件结构分别为1Mb
16和4M b 16，将随后提供。赛普拉斯的CellularRAM产品也将在明年开始生产。这三家公司将协同工作，定义下一代CellularRAM产品
128Mb器件，并计划在2003年第二季度推出样片。
关锦明透露，现在已经有多家手机制造商，包括中国厂商，已经开始设计采用CellularRAM的产品。他对CellularRAM成为行业标准，并在市场上取得成功充满信心。
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