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2024年11月21日星期四
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2008年第1期
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微控制器与存储器
Microchip低功耗单片机

Microchip PIC18F系列产品包括6个型号PICmicro闪存单片机。该系列单片机具有6种增强的电源管理模式,在待机模式下的电流消耗仅为0.1微安,在2伏至5.5伏电压下均能正常工作,适用于电池驱动的设备。

PIC18FXX20的电源管理功能使设计人员在降低电流消耗的同时,通过使用软件控制的增强功率模式更好地控制整体系统的功耗。PIC18FXX20具备可再编程闪存,可以实现 "迅速修正"和一次确认。该产品还有新型低电流监控定时器、从复位或睡眠状态下的两速启动、可用来检测外部时钟故障的新型防故障时钟监控器。

PIC18FXX20产品拥有8Kb闪存、512b RAM存储器、256b EEPROM及8MHz的内部多频率振荡器。还具有13通道的10位模数转换器,带有1个、2个或4个输出、可自关闭/启动的加强型捕获/比较/PWM模块,支持RS-485、RS-232 及LIN的可寻址的USART模块,可编程16位低电压检测模块和可编程电压不足复位模块等。

该系列单片机可应用于智能感应器、手提设备、仪表计量、RF射频推动仪器、电池电量监测和温度传送器等产品。

http://www.microchip.com

14管脚闪存单片机

Microchip PIC16F630和PIC16F676闪存单片机仅有14个管脚,并配有模数转换器 、高精度内置振荡器、比较器和快速启动模块。

PIC16F630和PIC16F676器件在2伏电压下典型的待机电流只有100 纳安培,运行电压范围从2 伏到5.5伏。新器件具有2微秒快速启动功能和在睡眠模式下从外部晶振运行定时器的功能,特别适用于要求较低功耗的应用。

此外,PIC16F630和PIC16F676外设功能可通过独立的开/关控制以节省电力。新器件提供1792 字节闪存、64字节RAM 存储器和可100 万次重复擦/写的128字节EEPROM存储器。

新器件适用于小型器具、玩具,以及传感测量应用或高端汽车系统,采用14管脚TSSOP、PDIP和SOIC封装。

http://www.microchip.com

计算机与通信
PMC面向SAN的新型SERDES

PMC-Sierra公司推出面向存储区域网络(SAN)光纤通道并串/串并转换器(SerDes)PM8356 QuadPHY FC。这种QuadPHY FC结合了可编程的预加重,接收端均衡作用,还可以与外部的无源元件结合使用。QuadPHY FC解决方案可提高信号的传输质量,减低功耗,大幅节省仪表盘所占空间,总体的系统成本也有减少,它也可满足逐渐兴起的3G光纤通道网络存储设备的需要。

QuadPHY FC很适用于光纤通道收发器和串行背板应用系统。这种器件通过4个独立的可变速率双向1.0625 或 2.125 Gb/s的光纤端口,提高了存储域联网的总体性能。其综合性能包括并串/串并转换器(SerDes)、时钟恢复、时钟合成、字节排列的逻辑顺序、供系统检测和诊断用的内置发生器和比较器。对于业务关键储存系统,QuadPHY FC提供了一个有充分冗余的体系结构,用以保障运行和保护高速运行的微分链接。通过结合可编程的预加重,接收均衡调整,并将接受或发送终端与电容耦合进行整合,实现了在宽范围内运行的最大信号完整性。

四元组PM8356 QuadPHY FC 1.0625/2.125 Gb/s 光纤通道收发器采用324针热增强PBGA封装,面积仅23mm 23mm。

http://www.pmc-sierra.com/serdes

莱迪思快速可编程串并转换器

莱迪思半导体公司(lattice)的ORT82G5现场可编程系统芯片(FPSC)有8个SERDES核与400K的ORCA FPGA门,包含嵌入的XUAI和光纤信道状态机,旁路8B/10B编码/解码器支持多通道校准功能,而无需使用FPGA的任何门。

ORT82G5器件具备372个可编程用户I/O,支持许多高级的接口标准,包括HSTL、SSTL、GTL+等。设计人员可用ORT82G5器件聚合各类不用的并行I/O,汇成高速串行流。ORT82G5器件可提供一个全10Gbps的背板数据连接,它具有在线卡和交换结构间的保护性能。

ORT82G5以3.7Gbps(25%预加重)通过26英寸(66厘米)FR-4背板时无数据错误,超过了以每秒3.125Gbs通过20英寸(51厘米)FR-4背板的XAUI规范。ORT82G5-600LBGA SERDES收发器万片批量的单价为195美元。

http://www.latticesemi.com

TI多模WLAN解决方案

德州仪器(TI)公司的TNETW1130是一款单片媒体接入控制器(MAC)及基带处理器,可满足 WLAN 市场在 2.4 及 5.2 GHz 频带中即将实现的54Mbps升级要求。通过采用自动频带技术,基于TNETW1130的多个接入点可同时运行,并且各站点能够在不同传输模式及频带之间自动切换,从而可实现对802.11b、802.11b+、802.11g 及 802.11a的无缝支持。

TNETW1130 支持高级加密标准 (AES) 及传统的有线安全等级协议 (WEP)。该产品还是实现 802.11i 标准草案要求的处理器。针对特定的企业应用,TNETW1130还可提供用于额外WLAN安全级别的其它增强安全性支持。

TNETW1130拥有用于支持在 802.11e 标准草案中规定的EDCF(增强的分布式协调功能)及HCF(混合协调功能)QoS 引擎,可促进如WLAN语音等质量敏感型应用的发展。此外,TNETW1130基于灵活的固化软件可升级平台,在标准草案最终通过批准后确保客户能够根据 802.11g、802.11i、802.11e 及其它标准草案中可能发生的更改而变化。

TNETW1130 能够在更大的距离内为802.11b、802.11b+ (22Mbps)、802.11g 及 802.11a 网络提供更高的吞吐量。它还采用了TI的增强型低功耗 (ELP) 技术。TNETW1130 可支持各种片上接口,包括PCMCIA、Cardbus、PCI、mini-PCI、USB、Compact Flash及通用16位从器件。

http://www.ti.com

WirelessUSB可提供高速无线连接

赛普拉斯WirelessUSB系列产品CY694X可使人机接口产品(HID)如PC鼠标、键盘和游戏控制器去掉连接线。

CY694X工作在2.4GHz频段上,能连接多达7个、相互间距离长达10米的外设。WirelessUSB 4个外设同时连接使用时,它的平均执行时间少于8毫秒。WirelessUSB产品几乎不需要外部元件,也不需要为支持USB的操作系统而编写新的驱动程序。

CY694X每个主机在同一空间中支持7个节点和多个独立的连接。使用跳频扩频技术,CY694X使得在拥挤的办公室和教室中使用多个WirelessUSB外设成为可能,而且不用担心出现设备之间的干扰问题。先进的电源管理使电池在一般的键盘应用中可使用长达6个月。双向通信能对传送的数据加密,从而确保了高度的安全性。WirelessUSB器件批量单价为3.92美元。

http://www.cypress.com

系统可编程数字交叉点器件

莱迪思半导体(lattice)推出新一代的ispGDX 在线系统编程(ISP)数字交叉点器件-ispGDX2系列,可提供低成本的互连及接口解决方案。ispGDX2器件适用于许多领域,如交换背板的实现、低成本串联、标准转换、总线多路转换、驱动器合并、收发器及SERDES等。

ispGDX 上的sysHSI SERDES组块通过LVDS I/O支持高达850 pbs的运行状态。每个通道具备一个专用的15 x 10位的FIFO用来缓冲数据。SERDES组块含有时钟数据恢复(CDR)和字节校准,配合主流的8B/10B和10B/12B等编码及解码方案。多个sysHSI组块还可以合并起来组成一个源同步接口。这种模式支持一系列时钟到数据相位差补偿方法,包括通过校准序列自动补偿相位差。

ispGDX2器件结构中有一个单级的可编程中央布线池,由专用的可编程控制逻辑块控制多路转换、时钟、寄存器和输出使能。这些控制功能是在半字节(4位)的基础上实现的,可提高芯片的效率。该类器件能在快速信号交换和多端接口应用系统中实现192比1的实时信号多路转接。
首批上市的ispGDX2-256器件有三种供电电压的型号,分别是1.8伏的ispGDX2-256C、2.5伏的ispGDX2-256B和3.3伏的ispGDX2-256V。该批器件的速度级别高达3.5纳秒 / 300兆赫。

http://www.latticesemi.com

半导体与IC
超小型PWM电流模式控制器

安森美半导体(ON)推出节电王NCP1203与NCP1200A两款节省空间的脉冲宽度调制(PWM)电流模式控制器,为电源设计人员提供符合美国能源之星(Energy Star)和欧洲Blue Angel待机能耗规定的优化低成本解决方案。

节电王NCP1200系列以结合外部MOSFET,使用于5瓦至100瓦以上的产品,基本电源设计方式简单,占用面积也相等。NCP1203与NCP1200A的电流尖峰可由用户编程设置,输出驱动性能为250毫安,同时在轻载下提供功效极高的跳频模式。

NCP1200A具有更完善的FET驱动性能、更低的待机能耗以及专有的动态自供电电路。启动时,该电路可直接由高压干线供电,省去使用变压器辅助绕组。

NCP1203和NCP1200A适合应用于消费类电子产品和计算机外设。两款器件均提供表面贴装SO-8封装与PDIP-8封装。

http://www.onsemi.com/tech

飞利浦DVD+R/RW处理器和芯片组

飞利浦公司推出高度集成的芯片组、光学拾取器、固件和参考设计,以实现快速DVD+R/RW刻录机。该芯片组包括PNX7850主处理器、TZA1039模拟处理器和TZA1047激光功率控制器等。

该软件和芯片组以飞利浦Nexperia流媒体技术为基础,使消费者能够在15分钟内刻录4.7G byte的数据。飞利浦DVD设计还集成了新技术,能够最大限度地避免由于指纹等通常的光盘损坏而引起的刻录错误。

Nexperia DVD+R/RW系统解决方案以PC用途为主进行设计,能支持高达8倍速的刻录速度。刻录速度的提高主要是因为飞利浦公司在光刻录设计中采用了新的方法:把写入策略产生器(Write Strategy Generator, WSG)移到与光驱动器的同一主板上,从而打破了影响刻录速度的数据瓶颈。

同时,此新型设计由于支持刻录过程中光盘的读取,可以避免大多数因为光盘表面受损引起的刻录错误,并确保与传统DVD播放机更高层次的兼容。

http://www.semiconductors.philips.com

SynQor 1/4砖总线转换器

SynQor公司推出的BusQor系列DC变压器或总线转换器模块,能够在12V电压下输出功率达到240W,无需使用散热器。该转换器模块采用同步整流技术,满额定负载效率高达96.5%,即满载整机功耗仅为9W。

BusQor转换模块把48 V(42V至53V范围)输入电压转换成为未经稳压的12V(-15%至+10%)输出电压,输入与输出之间的绝缘范围直流电压高达2000V。该产品采用1/4砖尺寸封装,输出电压12Vout,输出电流20A,输出功率为240W,功率密度为167瓦/英寸3,是标准1/4砖产品功率的三倍。

BusQor系列产品特别适用于要求用非严格调节的12Vdc中间总线驱动众多不同的下游非隔离、负载点稳压器的用户。该模块还非常适用于计算机服务器、企业联网设备及其他使用48V(+10%)输入总线的应用设备。BusQor 转换器OEM批量单价60美元。

http://www.synqor.com

基于TrenchMOS的集成转换器

飞利浦电子推出了基于TrenchMOS半导体技术的新型半导体转换器,它可以在同一封装内集成单相DC/DC同步降压转换器的5种元件功能。该产品在单个器件内装配了脉宽调制(PWM)控制、驱动器、控制场效应晶体管,同步场效应晶体管和一个并行肖特基二极管。

PIP250M芯片可以节省空间,能将5伏电压转换至1到3.3伏之间,为电信、数据传输和企业计算中的7至15安培应用提供最佳的功率密度。

PIP250M为设计工程师们提供了可以处理复杂电源管理系统的解决方案,它简单易用,能缩短产品上市时间。

http://www.semiconductors.philips.com

150mA CMOS低压降稳压器

飞兆半导体公司(Fairchild)的FAN2534 150mA LDO(低压降)稳压器可在宽频率范围内提供高纹波抑制功能,具有启动速度快(150 S)和噪声低(50 Vrms)的特性,采用多种类型的输出电容带来优异的回路稳定性。 FAN2534适用于手机和无线/射频设备,并可为PLL(锁相回路)和VCO(电压受控振荡器)等频率敏感设备供电。

FAN2534可在无过冲情况下实现快速启动,并提供高精度平衡短路流限(300mA)以保护薄形PCB互连器件。为了减少电池泄漏,FAN2534在150mA条件下的压降仅为180mV,它还具有优良的近压降PSRR(电源纹波抑制比)、启用/关断控制和温度限制性能,以获得额外的系统安全性。
FAN2534与同类部件的引脚兼容,采用小型SOT-23、5引脚封装。该产品具有三种不同的输出选项,分别为可调、带旁通2.6V和带旁通3.0V。

http://www.fairchildsemi.com

低成本集成数据转换器解决方案

模拟器件公司(ADI)推出三款基于数据转换器的新产品 AD6635、AD6652 和AD9786。这三种器件可用于基站以减少系统成本、尺寸和设计复杂性。

AD6635和AD6652能够实现中频(IF)数据下变频和多载波收发器内的数字信号处理。AD6635 RSP 能够处理多达4个宽带码分多址(CDMA2000或 WCDMA)通道或8个窄带(GSM/EDGE)载波。它在一个单片封装内具有4个可重新配置的80 MSPS 宽带输入RSP通道和8个独立的RSP通道。AD6635采用324引脚网格焊球阵列封装,千片起订量报价为37.40美元/片。

AD6652是一种高集成度混合信号IF到基带接收器,它通过将12位双ADC的输出直接耦合到一个片内四通道多模式数字RSP,从而减少PCB面积并且能提高信号完整性。该器件适合用于单载波和多种无线电结构,它具有4个可重新配置的RSP通道,可以进行定制以适合指定的无线电标准。AD6652 采用256引脚网格焊球阵列封装,千片起订量报价为38.25美元/片。

AD9786是一种16位400 MSPS DAC ,失真和噪声极低,允许在140 MHZ 中频或更高频带上发送多载波合成信号。性能使系统取消了上变频级并且减少了器件总数,降低系统总成本。其内插滤波器的倍率可选择2倍、4倍或8倍,可满足数据速率和输出信号滤波器重构的要求。AD9786采用80引脚散热增强型TQFP封装,千片起订量报价为46.71美元/片。

http://www.anolog.com

48V系统热插拔电源管理器

德州仪器公司 (TI)推出两款针对额定 48V 系统优化的热插拔电源管理器 TPS2392 及 TPS2393, 为设计人员提供了易于编程的功能,可在启动及运行期间实现电流与电压的高精度控制,主要面向 48V 分布式电源系统、中心局端交换、光网络系统以及无线基站。

TPS2392 及 TPS2393 热插拔电源管理器的工作电源电压范围介于 20V~ 80V,可承受 -100V 的峰值电压。在结合外部 N 通道场效应晶体管 (FET) 与传感电阻器情况下,两者均可在已启动的系统中实现插入卡及模块的带电插入。两款器件都可提供负载电流回转率控制和峰值幅度限制功能。

这两款器件采用14 引脚超薄紧缩小型封装 (TSSOP),订购量为千片件时,单价为 1.95 美元。

http://www.ti.com

高度集成超低电压微控制器

飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出新型超低电压微控制器ACE1502,具有许多片上外设、一个内置精确时钟发生器及典型值低于100nA的超低待机电流,适用于手持遥控器和远程无键登录系统等便携式设备。

ACE1502集成了一个具有2Kb代码EEPROM的ACEx 系列核心、64位的SRAM和数据EEPROM、一个片上时钟发生器,以及一个高电流 (+/- 7mA)输出 的I/O端口。该器件用于1.8V-3.6V工作电压。飞兆半导体通过提供低至1.8V EEPROM读和写功能的微控制器,让这些器件在2节NiCd/NiMH电池配置下工作,并通过极低的功耗延长电池寿命,从而提高目标应用的性能。

ACE1502也具有欠压重设和32级低电压检测等功能。其万片订货单价0.99美元。

http://www.fairchildsemi.com

简化DC-DC转换器设计的芯片组

国际整流器公司(IR)推出符合英特尔 VRM 9.0设计规范,并可简化低电压、大电流多相同步直流-直流转换器设计的完整功率管理芯片。

IRUK3055CQ01芯片组配有一个高度集成的IRU3055CQ 5位可编程三相PWM控制器集成电路及板上驱动器,3个IRF3704S控制HEXFET功率MOSFET,以及3个IRF3711S同步HEXFET MOSFET。这些器件经过优化,能在完整的三相直流-直流同步降压转换器方案中共同发挥出最高系统效率,提供高达60A的电流。

IRU3055CQ PWM控制器集成电路提供1.075V至1.85V级差为25mV的可编程输出电压,在整个操作温度范围内实现达1% 的输出电压精确度。该控制器集成电路还提供多种保护和监察功能,如欠压锁定、电压超标保护和外部可编程软启动,以及"正常电源"(Power Good)功能,以检测超过设置电压值 10%的输出电压。

20V IRF3711 MOSFET用作同步MOSFET;而20V IRF3704 MOSFET用作控制MOSFET。

http://www.irf.com

用于麦克风的放大器

美国国家半导体公司 (National Semiconductor)推出两款型号为 LMV1012 与 LMV1014 的放大器,采用崭新的设计取代现有的麦克风技术,音频性能获得大幅改善,最适用于移动电话麦克风、手机辅件、及其他便携式麦克风应用方案。

LMV1012 是一款专为 2 线驻极体电容器麦克风而设的放大器。这款芯片的内部增益达 17 dBV,最适合手机麦克风采用。LMV1012 放大器还有其他优点,例如较高的抗射频干扰能力及更低的失真率。采用 LMV1012 芯片的新一代驻极体电容器麦克风只有 0.1% 的总谐波失真率,信噪比 (SNR) 则可达 55dB 以上,而所需供电则不超过 240 A。

LMV1014 是一款专为低电流及低噪音的 3 线驻极体电容器麦克风而设的放大器。LMV1014 芯片的电源抑制比 (PSRR) 高达 60 dB 以上,而信噪比也超过 55 dB。这款芯片专为只需较低供电及抗噪音干扰能力较强的应用方案而设计。

两款放大器芯片都可与现有的驻极体电容器麦克风标准全面兼容。LMV1012 和LMV1014 芯片都采用 4 焊球 micro SMD 封装,每片售价分别 0.39 美元和 0.49 美元。

http://www.national.com/see/mic

分立器件
6 GHz单电压E-pHEMT FET

安捷伦科技(Agilent)推出单电压E-pHEMT FET产品ATF-531P8。ATF-531P8 E pHEMT FET可提供许多领先性能,包括0.6 dB的噪声系数、+38 dBm的OIP3 (第三阶输出截听点)和4V的工作电压,可大大降低功耗。它适合第一期和第二期前端LNA,以及无线电插件、PA、蜂窝基站、固定无线系统和无线局域网及50 MHz 到 6 GHz范围内的其它高性能应用中。

E-pHEMT器件具有单电压操作、高功效及极好RF性能,可用以替代噪声系数高的单电压HBT及传统的双电压PHEMT和GaAs HFET器件。ATF-531P8 E-pHEMT FET的规定工作频段为900 MHz、1.9 GHz和2.1 Ghz的蜂窝/PCS/WCDMA频段。其+24.5 dBm线性输出功率功能 (1 dB增益压缩)为预驱动放大器提供了适当的电平。

该产品采用2.0 mm x 2.0 mm x 0.75 mm的LPCC封装形式。

http://www.semiconductor.agilent.com

TrenchMOS系列 MOSFET

飞利浦电子推出全新的N沟道MOSFET产品系列,该产品采用的 TrenchMOS技术和薄小外形TSOP6封装,尺寸仅为9.3平方毫米。

新型 TrenchMOS的TSOP6封装具有极低的导通电阻Rds(on),额定电压分别为30伏、20伏和12伏。可以提供优异的热、电性能,除了能降低运行温度外,还可以将功耗降低至1.4瓦。

TrenchMOS TSOP6可应用于包括PDA、笔记本电脑以及电动剃须刀和电子牙刷等家用电器。 TrenchMOS产品还将推出 TSSOP8、SC70和SC88等多种封装。

http://www.semiconductors.philips.com

高载流性能的IR双FETKY器件

国际整流器公司(IR)IRF7335D1双FETKY器件将两个N沟道MOSFET及一个肖特基二极管集成到单一SO-14封装,其载流性能极高。

该器件为标准12V输入和5V、3.3V 及1.7V输出的11A同步降压转换器电路而设计,适用于笔记本电脑和台式电脑、游戏机控制台及因特网应用。

IRF7335D1内两个MOSFET经优化,可分别提供控制及同步切换功能。同步MOSFET的导通电阻极低,可降低传导损耗。控制MOSFET的整体栅电荷和栅漏电荷均较低,可降低开关损耗;击穿电压额定为30V,能安全处理输入电压尖峰。内置肖特基二极管的正向压降较低,能支持高速和高效率的切换。

全新双FETKY组合封装器件采用的SO-14封装含有一个经定制的引线框,能改善热性能及多芯片性能。这种模式还可减低同步场效应管和并联肖特基二极管间的杂散封装和印刷电路板走线电感。

http://www.irf.com.cn

安捷伦多色PLCC封装LED

安捷伦科技(Agilent)推出适用于室内电子标志和信号的多色PLCC封装形式的LED系列。这一LED系列产品采用PLCC-4 (4针脚)封装方式,具有两色组合和三色组合,包括室内全彩视频信号和可变信息仪表盘要求的红-绿-蓝三种颜色组合。

新推出的LED系列在应用于标志时,其3.2 mm (高) x 2.8 mm (宽) x 1.9 mm (厚)的小型封装和大范围的照明区域实现了更高的图像分辨率,黑色表面则较传统的穿孔式和表面封装LED提供了更高的对比度。

这一系列LED还特别适用于汽车内部的照明,如仪表盘和中央控制台背光。在办公设备中,它们为仪表板背光及照明按钮和显示提供了极高的性能和灵活度。该封装带有一个外部反射器,可以简便地与光管或光导相结合,为大范围区域提供统一的照明。

http://www.semiconductor.agilent.com

其它
ARM11 PrimeXsys开发平台
ARM公司的ARM11 PrimeXsys平台由新款ARM1136J-S 微处理器内核支持,为基于 ARM11的设计提供标准结构。
ARM11 PrimeXsys 平台为系统开发者提供所有片上系统(SoC)解决方案设计所需的硬件、软件和确认IP,主要面向运行实时操作系统和开放操作系统,如Linux、Palm OS v5、Symbian OS、VxWorks 和 Windows CE.net等的智能数字设备。硬件与 ARM1136J-S 微处理器紧密结合,软件开发工具包括平台的可扩展软件模式,允许软件设计与硬件开发同时进行。

ARM11 PrimeXsys 平台围绕 ARM1136J-S 或 ARM1136JF-S内核创建,在0.13 m 时最低性能仍高达 400 MHz,全面支持 ARM11 系列内核的所有性能。

http://www.arm.com

         
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