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日立高效率DC/DC电源控制IC和功率
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MOSFETHitachi High-Effective DC/DC Power Control
IC and Power MOSFET
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目前，为了实现节能、高效率和设备小型化等目标，电子设备对更高效率电源的要求越来越大。同时，电信设备和服务器更高的速度和更大的存储器容量也导致更大的电流消耗。因此，对于此类设备，DC/DC变换电源也需要节能设计，并要求更低的输出电压和闲置模式下具有更低的功耗。
日立为满足这些要求提供了最佳的控制IC和电源MOSFET解决方案，具有以下特点：
● 高效率、细小和薄封装
● 低电压、大电流
● 高转换速率、智能控制
功率 MOS FET
功率MOS FET是开关电源应用的关键器件。日立为此类应用提供了新型LFPAK封装。
LFPAK（参考照片）的设计目标如下：
● 低电阻封装（无引线）
● 低热阻
● 薄封装（1.1 mm）
● 低电感
同时，日立的低电压功率MOS器件具有极低的导通电阻Ros(on) 特性（参考附表）。
因此，总体功能特性如下：
● 超低Rds(on)—减少传导损失
● 低 Qgd—减少开关（SW）损失
● 低 Qg — 降低驱动损失
到目前为止，采用LFPAK封装的还仅有HAT2099H，然而现在日立开发（包括正在开发）的总共有6款器件，并可接受客户请求。主要的器件如下：
● HAT2141H(100V)/D7-L低 Ron， 低 Qgd
● HAT2143H(30V)/D7-L低 Ron， 低 Qg
控制 IC HA16163
HA16163控制IC是针对同步整流的MOSFET控制而设计。
主要特性如下：
● 高工作频率（f=2MHz）
● 全桥相移控制，ZVS (零压交换)
● 内置同步整流控制。延迟时间可调整。
现在正在开发的还有初级一侧控制IC HA16150(TSSOP-16)
这些控制IC和功率MOSFET将可为您的新DC/DC电源设计提供帮助。
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