IBM携手TDK开发大容量MRAM芯片

IBM和TDK宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。

IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。

MRAM利用微小的磁场，而不是电荷来存储数据。它是一种非易失性存储产品，可以像闪存那样在不供应电能的情况下，仍保留所存储的数据。MRAM的写入速度比闪存快，其写入速度可以与个人电脑中使用的动态RAM相当。

MRAM芯片的一个潜在市场是电脑市场，它可以迅速开启，况且每次启动时均无须向内存加载软件。不过，目前市场上的MRAM芯片容量仅几兆字节，能够满足嵌入式控制系统的要求，但是远远不能满足现代个人电脑的需求。

TDK和IBM希望能够扩大MRAM芯片的容量使其更加广泛地应用于手机和手持电脑中。以前，IBM曾与英飞凌科技在MRAM技术上开展合作。飞思卡尔于去年7月就开始商业化生产4MB的MRAM芯片。

三星50纳米DRAM获Intel认证

三星电子开发的50纳米1GB DDR2 DRAM芯片获得Intel认证。三星电子称，这是50纳米DRAM在业内初次获得的认证，尤其DDR2产品中最高速的800Mbps产品达到了量产水准的产品特性，在产业界具有很大意义。

三星电子计划将这次获Intel认证的50纳米DRAM于明年上半年投入量产，而且还计划将其扩大到DDR3、图形存储器、手机存储器等整体DRAM产品群。之前，三星电子从今年3月开始已经将60纳米1GB DDR2 DRAM投入量产，与量产70纳米～80纳米产品的业内水平相比，已经处于领先地位。

三星电子50纳米1GB DDR2 DRAM与目前主力量产的80纳米相比可提高两倍的生产性，与60纳米相比可提高50%以上的生产性，因此三星电子也期待它所能带来的成本竞争力。同时，随着Windows Vista在普通用户PC和企业用PC中的扩大应用，今年下半年DRAM市场将呈现主存储器容量增加和高性能加速化的趋势。

我国自主硅基液晶(LCOS)光学引擎量产

我国自行研制的硅基液晶(LCOS)光学引擎，日前在中国兵器装备集团公司下属的河南中光学有限公司实现批量生产。此举将有力推动我国数字高清电视产业的发展。

业内人士认为，硅基液晶(LCOS)光学引擎实现批量生产，标志着我国不仅掌握了大屏幕投影显示设备的核心技术，而且突破了生产制造领域的一系列难关。兵器装备集团也成为世界第三家及中国唯一一家实现硅基液晶(LCOS)光学引擎量产的企业。

硅基液晶(LCOS)是发展大屏幕显示设备的基础，是我国发展数字高清电视的关键技术，具有高清晰度、高分辨率、高性价比、环保无辐射、低能耗等特点。目前国内硅基液晶(LCOS)微显背投电视产业链已经初步形成，为我国信息产业迎接北京奥运会和世界高清电视发展创造了商机。

兵器装备集团有关负责人介绍说，在信息产业部等部委的支持下，集团与河南省政府联手，在河南南阳打造硅基液晶(LCOS)产业发展基地和河南省微显示工程研究中心，努力建设世界最大的光学引擎制造基地，推动我国数字高清电视产业的发展。

飞兆半导体设立全球功率资源中心

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 现已扩展其全球功率资源中心 (Global Power ResourceSM Center)，在美国密歇根州的 Ann Arbor 增设机构。这个新的设计中心靠近北美汽车市场的中心，能满足在汽车功率应用方面对功能性功率解决方案 (包括多芯片模块) 不断增长的需求。这一中心雇用了资深的电子工程师，他们拥有丰富的设计经验，对当今汽车设计的应用需求有着透彻了解。这支工程队伍拥有总计超过 60 年的汽车产品开发经验。

飞 兆半导体拥有独特的先进工艺和封装技术，配合其将功率模拟、功率分立和光电功能集成到创新封装中的能力，使公司得以开发出各种高能效的解决方案，不断为汽车电子市场提供卓越价值。飞兆半导体拥有广泛全面的产品种类，功耗范围从 1瓦 到 1200瓦以上，能够最大限度地提高当前汽车电子应用如功率管理、车身控制、电机控制、点火和引擎管理，以及电动和混合动力电动汽车系统的能效。密歇根中心的设立使飞兆半导体的工程师可以直接与客户合作，共同设计和优化下一代功率管理和控制解决方案。

除新设的密歇根中心之外，飞兆半导体还拥有12家全球功率资源中心，分别位于欧洲、韩国、台湾、中国大陆和美洲。这些中心是飞兆半导体全球功率资源计划的一部分，不仅提供系统功率设计，还包括在线设计工具、评估板、使用指南和联合研发实验室。为了加强和拓宽对客户的支持，飞兆半导体已将这些资源整合在网站上，并融合设计、选择和培训工具，便于客户实时获取有关信息及优化设计。

台积电90纳米量产Xbox绘图记忆体

台积电目前宣布，美商微软Xbox游戏机的绘图记忆体采用台积电90纳米嵌入式动态随机存取记忆体(DRAM)制程，并已开始投片生产。

微软公司半导体技术部资深处长Bill Adamec称，台积公司提供通过验证的制程技术与晶片制造服务，协助量产具竞争力的晶片；而其90纳米嵌入式DRAM制程，正是强化微软多媒体游戏娱乐系统市场地位所需要的技术。

台积电指出，90纳米嵌入式动态随机存取记忆体技术，具备80Mb的高密度 巨集设计和500MHz的高速效能，能满足客户对高记忆体容量的需求。

台积电的90纳米嵌入式动态随机存取记忆体于2006年第一季即开始量产，并已发展出多种多功能的记忆体巨集，应用在十多个90纳米的客户产品上。

英特尔计划在越南构建芯片工厂

近日英特尔的官员表示，公司计划投资10亿美元在越南构建芯片工厂，2009年开始制造产品。

英特尔（越南）产品总经理Rick Howarth称，公司将在越南西贡高科技园区构建一个占地50万平方英尺的芯片工厂。今年12月份开始构建，2009年中期完成，2009年九月份开始批量生产，最初将雇请500名员工，到年底之前新工厂的员工总数将增加到1000名。
英 特尔计划新工厂大约需要三年时间达到最高产能，届时每年能够制造六亿个芯片，雇请的员工总数将达到4000名。

尽管新工厂从动工到投产大约需要二年时间，但英特尔几乎没有停顿，今年三月份，在工厂附近的办公室已经破土动工。支持新工厂的基础设施和工程资源正在紧张的筹备中。

与此同时，英特尔还将通过帮助当地的大学开发IT课程，构建一个人才渠道。并正在与美国的大学就在越南高科技园区建立一个新的科技大学进行磋商。总经理表示，越南政府和科技园区的领导已经同意支持这一计划。未来数月内，英特尔可能将与美国的合作伙伴达成协议，为明年秋季建立一个学院铺平道路。

富士通提出下一代硬盘技术

富士通公司日前宣布，该公司在硬盘存储技术上取得了重大突破：采用所谓的纳米洞(Nanohole)技术，将可以实现每平方英寸高达1TB的存储容量。富士通透露，已经用它们研制出来的材料样品制作了一块2.5英寸硬盘，并且实现读写功能。该公司表示，纳米洞技术的成功应用，可让2.5英寸硬盘达到1.2TB的存储容量。

富士通使用阳极化铝批量生成纳米洞，每个纳米洞都装载了磁性物质用来存储1个位(Bit)的数据。而这些规则分布的纳米洞周围的氧化铝可以很好地固定洞内磁性物质，避免它与其他纳米洞中的磁性物质互相影响——这种磁性干扰将会导致数据存储故障。
2005年，富士通开始对纳米洞技术进行研究。今年1月，富士通公司就已经向外界公开宣称它们已经找到可以实现每平方英寸存储1TB数据的方法。不过在当时，富士通并没有提供任何实际样品来证实上述消息。

每英寸存储1TB数据对于存储材料提出了非常高的要求：纳米洞的直径不能超过13nm。而目前富士通已经将纳米洞的直径做到25nm，离最终目标越来越近。不过需要指出的是，富士通此次使用样品材料制作出的2.5英寸硬盘所实现的纳米洞直径为100nm，可见实际制作工艺与实验室数据还存在不小的技术差距。

富士通还表示，该公司首次实现了纳米洞的理想排列顺序，这将可以大大提高最终成品的工作效率。